ep-ściąga bez 2.pdf

(368 KB) Pobierz
1.Podać zależności termiczne dla tych parametrów:u
n
i
-samoistna koncentracja nośników, zależność termiczna jest
zależnością silną, praktycznie ekspotencjalną. Wartość jej
rośnie wraz z wzrostem temp. n
i
=AT
3/2
exp(-W
go
/2kt)
σ
i
-konduktywność, silnie zależy od temp. Inaczej dla
półprzewodnika samoistnego, inaczej dla półprzewodnika
domieszkowego
u-ruchliwość, to inaczej współczynnik proporcjonalności
u(T)=u
0
(T/T
0
)
-K
=BT
-K
~T
-K
w zależności od domieszkowania
jego wartość z wzrostem temp. Maleje
3.Przedstawić modele nałosygnałowe(m.cz.)elementów
idealnych:diody i tranzystora bipolarnego. Jak temp. I prądy
polaryzujące rozważanych elementów wpływają na parametry
tych modeli?
Dioda:
r
d
rośnie wraz z wzrostem
temp i(u)=I
s
(exp u/U
T
-1)
I
CEO
=(β+1)I
CBO
β=β
0
[1+a(T-T
0
)]
tranzystor bipolarny:
2-krotny wzrost I
CBO
przy wzroście temp o każde 10
O
4.Narysować charakterystyki statyczne tranzystora MOS z
kanałem n dla dwóch temp

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin