МИКРОСХЕМЫ КОНТРОЛЯ ЗАРЯДА БАТАРЕЙ.pdf

(177 KB) Pobierz
ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ СТАТИЧЕСКАЯ
ПАМЯТЬ (NV SRAM)
Dallas Semiconductor
од�½а из ведущих в мире фирм производителей микросхем э�½ерго�½езависимой статической памяти. В
корпусе микросхемы размещается кристалл микромощ�½ой памяти, встрое�½�½ый литиевый источ�½ик пита�½ия и управляющая схема,
которая ко�½тролирует соответствие �½апряже�½ие пита�½ия допустимым пределам. При паде�½ии питающего �½апряже�½ия �½иже �½еко
торого предела подключается в�½утре�½�½яя батарейка. Допол�½итель�½о управляющая схема обеспечивает автоматическую защиту
записей при пропада�½ии пита�½ия, причём гара�½тируется сохра�½е�½ие да�½�½ых в памяти в тече�½ие 10 лет при пол�½ом отсутствии
в�½еш�½их источ�½иков пита�½ия. Кристалл имеет в�½утре�½�½ий изолирующий слой, позволяющий электрически отключать литиевый
источ�½ик при хра�½е�½ии микросхемы �½а складе. При первом включе�½ии этот слой разрушается. Это обеспечивает сохра�½е�½ие э�½ер
гии литиевого источ�½ика до моме�½та �½ачала использова�½ия микросхемы.
Dallas Semiconductor
выпускает э�½ерго�½езависимую память как в виде модулей, совместимых по разводке выводов с DIP кор
пусами а�½алогич�½ых по объёму типов SRAM и EPROM памяти, так и в виде готовых SIMM модулей большого объёма с гибкой ко�½фигурацией 128К х 32, 256К х
16 или 512К х 8. Кроме того, память может выпускаться в корпусе PCM (PowerCap Module), который представляет собой �½изкопрофиль�½ый модуль с 34
выводами, пред�½аз�½аче�½�½ыми для поверх�½ост�½ого мо�½тажа. Этот модуль имеет допол�½итель�½ую съём�½ую часть DS9034PC с литиевой батарейкой.
В качестве аксессуаров к микросхемам памяти используются литиевые батарейки DS3802, DS9034PD, DS9034PCI, выпускающиеся в корпусе PowerCap. О�½и
уста�½авливаются путем защелкива�½ия �½епосредстве�½�½о �½а микросхемы памяти в корпусе BGA.
Наиме�½ова�½ие
Объём
Орга�½изация
памяти, бит
памяти
Время
обраще�½ия, �½с
Код
�½апряж. я
пита�½ия, В
AB, AD, Y
Мо�½итор
батареи
Диапазо�½
рабочих температур
0…+70°С
+
40…+85°С
+
Тип
корпуса
Допол�½итель�½ые
особе�½�½ости
DS1220
16K
2k x 8
100, 120, 150, 200
EDIP 24
10 лет�½яя
гара�½тия для «Y» версии
�½ачи�½ается от даты пр. ва,
для «AB/AD» от даты
первого использова�½ия
DS1225
DS1230
DS1330
DS1245
DS1345
DS3803
64K
256K
256K
1M
1M
1M
8k x 8
32k x 8
32k x 8
128k x 8
128k x 8
128k x 8, 64k x 16
70, 85, 150, 200
70, 85, 100,
120, 150, 200
70, 100
70, 85, 100, 120
70, 100
70
AB, AD, Y
AB, W, Y
AB, W, Y
AB, W, Y
AB, W, Y
4.5 5.5
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
EDIP 28
EDIP 28,
PowerCap 34
PowerCap 34
EDIP 32,
PowerCap 34
PowerCap 34
SIPSTIK 72
Мо�½итори�½г пита�½ия,
фу�½кция сброса
32k x 32
DS1249
DS1250
DS1350
DS1258
DS2227
2M
4M
4M
4M
4M
256k x 8
512k x 8
512k x 8
128k x 16
512k x 8,256k x 16,
Мо�½итори�½г пита�½ия,
фу�½кция сброса
NV SRAM SIMM
с селектив�½ой
орга�½изацией памяти
85, 100
70, 100
70, 100
70, 100
70, 100, 120
AB, W, Y
AB, W, Y
AB, W, Y
AB, W, Y
4.5 5.5
+
+
+
+
+
+
+
+
+
EDIP 32
EDIP 32,
PowerCap 34
PowerCap 34
EDIP 40
SIPSTIK 72
128k x 32
DS1265
DS1270
DS3816C 512
DS3832C 311
DS38464
8M
16M
16M
32M
64Кх40
1M x 8
2M x 8
512k x 32
1024k x 32
64кх40
70, 100
70, 100
70
100
70
AB, W, Y
AB, W, Y
4.5 5.5
3.0 3.6
3.0 3.6
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
EDIP 36
EDIP 36
BGA 168
BGA 168
SIMM 72
Мо�½итори�½г пита�½ия,
фу�½кция сброса
Входы #CEU и #CEL
NV SRAM SIMM
с селектив�½ой орга�½изацией
памяти
Наличие часов
реаль�½ого време�½и (RTC)
Наличие часов
реаль�½ого време�½и (RTC)
NVSRAM SIMM
МИКРОСХЕМЫ КОНТРОЛЯ ЗАРЯДА БАТАРЕЙ
СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ
DC IN
C4
0.01 F
Q1
2N6109
R2
150
R1
WALL
CUBE
C1
F
R3
68k V
THI
V+
VLIMIT
REF
DRV
D1
1N4001
BATT+
C3
MAX712
MAX713
TEMP
BATT
ER
Y
10 F
Примеча�½ия:
Li+ литий ио�½�½ая батарея, NiCd �½икель кадмиевая батарея, NiMH �½икель
марга�½цевая батарея, Pb сви�½цово кислот�½ая батарея.
10 F
R4
22k V
LOAD
CC BATT TLO GND
ТИПЫ КОРПУСОВ
PDIP 16
SO 16
C2
0.01 F
R
SENSE
SEE FIGURE 19 FOR SWITCH MODE

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin