ROM i RAM.rtf

(8988 KB) Pobierz

Pamięci ROM i RAM

Pamięć ROM

ROM - (Read-Only Memory - pamięć tylko do odczytu) jest to rodzaj pamięci półprzewodnikowej urzędzenia elektonicznego, z ktorej można tylko odczytywać. Nie potrzebuje stałego zasilania.

Rodzaje pamięci ROM:

PROM - (Programmable ROM - Programowalna pamięć do odczytu) jest pamięć jednokrotnego zapisu. Pierwsze pamięci były programowane przez przepalanie cienkich drucików, które były wbudowane w strukturę.

EPROM - (Erasble PROM - Kasowalna pamięć do odczytu) możliwość wielokrotnego zapisu. Do zapisywania potrzebny jest programator, a zapisywanie odbywa się poprzez naświetlanie ultrafioletem szkła kwarcowego w obudowie ceramicznej. Po zaprogramowaniu zabezpiecza się szybkę naklejką nie przepuszczającą światła (ultrafioletu).

EEPROM - (Electicali EPROM - Pamięć kasowana elektrycznie)

Flash EEPROM - rodzaj pamięci EEPROM - kasowanie odbywa się jednocześnie dla określonej części pamięci.

Pamięć RAM

RAM – (ang. Random Access Memory – pamięć o dostępie swobodnym) pamięć ta przechowuje otwarte pliki systemu operacyjnego, uruchomione programy oraz efekty ich działania.

W zależności od budowy odróżnia się dwa rodzaje pamięci:

● DRAM – (ang. Dynamic RAM – dynamiczna pamięć RAM) jest odmianą półprzewodnikowej pamięci RAM zbudowaną na bazie tranzystorów i kondensatorów. Pojedyncza komórka składa się z jednego kondensatora i tranzystora, który steruje procesem kondensacji. Jeśli kondensator jest naładowany to przechowuje bitową 1, jeśli pusty to bitowe 0. Wadą tego typu pamięci jest upływność kondensatorów i odświeżanie ich ładunku co spowalnia dokonywanie zapisu.

Parametry określające wydajność pamięci DRAM (prefiks „t” to słowo „time”)
tCL	(CAS Latency) określa liczbę cykli zegarowych pomiędzy wysłaniem przez kontroler pamięci zapotrzebowania na dane a ich dostarczeniem,
tRCD	(RAS toCAS Delay) określa liczbę cykli zegarowych pomiędzy podaniem adresu wiersza a wysłaniem adresu kolumny,
tRP	(RAS Precharge) określa liczbę cykli zegarowych pomiędzy kolejnm adresowaniem wierszy pamięci,
tRAT	(Row Active Time) określa liczbę cykli zegarowych pomiędzy aktywacją i dezaktywacją wierszy,
tCR	(Command Rate) określa liczbę cykli zegarowych pomiędzy adresowaniem dwóch komórek adresów.

● SRAM – (ang. Static RAM – statyczna pamięć RAM) zbudowana jest na bazie przerzutników oraz tranzystorów. Jedna komórka składa się z dwóch tranzystorów oraz jednego rzutnika RS.

Różnice pamięci DRAM a SRAM:

● pamięć SRAM ma szybszy dostęp do danych, ponieważ jest statyczna i nie wymaga odświeżania,

● pamięć DRAM ma większą pojemność.

Typy pamięci RAM

Moduły pamięci RAM

Rozróżniane są trzy rodzaje modułów:

· SIMM – (ang. Single Inline Memory Module – pojedynczy moduł pamięci) opracowano je dla pamięci typu:

Ø SIMM 30-pinowy – obsługujący 8 bitową magistralę pamięci,

Ø SIMM 72-pinowy – przeznaczony do pamięci 32-bitowych.

Do tego modułu dane mogły tylko wejść lub wyjść.

Moduł ten ma wcięcie z jednej strony co uniemożliwia błędny montaż.

· DIMM (SO-DIMM) – (ang. Dual Inline Memory Module – podwójny moduł pamięci) ten moduł pamięci ma możliwość jednoczesnego odbierania I przekazywania danych.